該公司在10月發布的第三季度財報中透露，受人工智能相關存儲產品需求激增推動，其DRAM與NAND閃存的所有產品線，截至明年的產能均已被客戶預訂一空。這一趨勢表明，AI基礎設施的全面建設正在顯著拉動存儲芯片的市場需求。
 

業績方面，SK海力士第三季度營業利潤同比大幅增長62%，達到11.38萬億韓元（約合80億美元），銷售額也攀升至24.45萬億韓元，雙雙創下歷史新高。
 

作為英偉達高帶寬存儲芯片（HBM）的核心供應商，SK海力士憑借在該領域的領先優勢，正成為AI算力競賽中的關鍵受益者。
 

不過，盡管SK海力士目前占據市場主導地位，但競爭態勢正日趨激烈。三星和美光均在HBM領域加速追趕。三星電子已于上月通過英偉達對其先進HBM產品的資格測試，而美光也已開始向英偉達供應部分HBM芯片。
 

面對競爭，SK海力士計劃通過差異化技術路線鞏固其在AI存儲領域的領導地位。公司計劃加快向已實現穩定量產的最先進1c納米（第六代10納米級）制程過渡，并擴大基于321層NAND閃存的產品供應。
 

行業分析預計，HBM的供應緊張局面將持續至2027年。由AI帶動的高性能存儲芯片需求，正在深刻重塑全球半導體產業格局。
 

本文關鍵詞：存儲芯片
 

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