誰說科學突破永遠不算什么？ Everspin跟進了IBM，TDK和德國研究人員幾年前開發(fā)的研究成果，并在市場上推出了首款商用自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM）。該技術通過利用電子“旋轉(zhuǎn)”將數(shù)據(jù)存儲在磁性而非電子狀態(tài)中，從而提供不易磨損的非易失性存儲器。該公司表示，第一顆芯片的尺寸大約是閃存成本的50倍，但典型的NAND模塊可以執(zhí)行大約800 IOPS，ST-MRAM的吞吐量可達400,000，因此非常適合SSD緩存和其他要求苛刻的應用。 Everspin已經(jīng)開始以DDR3規(guī)格發(fā)布64Mb DIMMS的工作樣本，并表示未來的版本將擴展到千兆字節(jié)容量和更快的速度 –
Everspin為高性能存儲系統(tǒng)首次推出Spin-Torque MRAM
MRAM領先采樣64Mb DDR3 ST-MRAM;與合作伙伴合作準備設計和制造生態(tài)系統(tǒng)
亞利桑那州錢德勒市 - 2012年11月12日 -
Everspin Technologies在業(yè)界率先推出首款自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM），這是一種新型高性能和超低延遲內(nèi)存，預計將改變存儲架構(gòu)并有助于推動摩爾定律的不斷演變。
ST-MRAM是一款性能優(yōu)化的存儲級存儲器（SCM），通過提供非易失性，高耐用性和超低延遲，將當今傳統(tǒng)存儲器的作用與未來存儲系統(tǒng)的需求結(jié)合起來。該64Mb器件是Everspin ST-MRAM產(chǎn)品中的第一款產(chǎn)品，計劃通過更快的速度擴展至千兆密度存儲器。
ST-MRAM。
Gartner研究副總裁Joseph Unsworth表示：ST-MRAM的特性對企業(yè)SSD市場特別有吸引力，因為它能夠增強和補充閃存技術。 “這項技術的商業(yè)化是一個重要的行業(yè)里程碑，應該繼續(xù)推動SSD在數(shù)據(jù)中心和內(nèi)存計算架構(gòu)中的普及。”
第一款將DRAM的速度和耐用性與閃存的非易失性，ST-MRAM相結(jié)合的半導體存儲器為高性能存儲系統(tǒng)的設計人員提供了實現(xiàn)超低延遲，提高可靠性，高循環(huán)耐用性和保護數(shù)據(jù)的能力的功率損失。潛在用途的一個例子是在云存儲領域 - 即使添加了更多的用戶和內(nèi)容，更快和一致的數(shù)據(jù)存儲訪問也是必需的。
“IDC固態(tài)存儲和使能技術研究總監(jiān)Jeff Janukowicz表示：”現(xiàn)有存儲器技術面臨著在性能，功耗和可靠性達到適當平衡時所面臨的嚴峻挑戰(zhàn)。 “第一個64Mb自旋扭矩MRAM的商業(yè)化是在更廣泛地使用更多種類的非易失性存儲器技術以提高存儲設備可靠性和提高性能方面的一個行業(yè)里程碑。”
Everspin專有的自旋扭矩技術使用自旋極化電流進行開關。數(shù)據(jù)存儲為磁性狀態(tài)與電子電荷，提供非易失性存儲器位，不會出現(xiàn)與Flash技術相關的磨損或數(shù)據(jù)保留問題。 EMD3D064M 64Mb STMRAM在功能上與DDR3接口的工業(yè)標準JEDEC規(guī)范兼容，每個I / O每秒傳輸高達1600萬次傳輸，轉(zhuǎn)換為以納秒級延遲高達3.2 GBytes /秒的內(nèi)存帶寬。該產(chǎn)品采用符合DDR3標準的行業(yè)標準WBGA封裝。
ST-MRAM為系統(tǒng)設計人員提供持久，高耐久性存儲或內(nèi)存的優(yōu)勢，適用于要求更高可靠性且需要DDR3速度性能提升的應用。 64Mb密度的MRAM為固態(tài)和RAID存儲系統(tǒng)以及存儲設備中的非易失性緩沖區(qū)和高速緩存提供了理想的入口點。 64Mb器件將補充現(xiàn)有的低成本存儲器技術，減少了過度使用。
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