各種異步型SRAM的對比
2017-08-22 16:18:07
第二大類SRAM為異步型SRAM。那些不具備時鐘輸入的SRAM便是異步型的。在這些器件中，讀操作和寫操作將在器件接收到指令之后立即被啟動。 采用異步型SRAM最大的優點之一是它們擁有長達幾十年的使用歷史并已為人們所充分了解。由于異步型SRAM已經面市很久了，因此許多標準處理器都包含了業已配備異步型SRAM接口的存儲控制器，從而最大限度地減少了所需的設計工作量。
異步型SRAM的典型存取時間為8ns（或更長）。因此，它們一般應用于時鐘頻率為100MHz（或更低）的系統中。異步型SRAM可被進一步劃分為兩種主要類別：即快速異步型SRAM和低功耗異步型 SRAM（MoBLTM）。
1：快速異步型SRAM 存取時間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。這些存儲器通常應用于老式系統中，且功耗較高（1/2W或更高是司空見慣的）。其典型應用包括老式PC L2高速緩沖存儲器、高速暫存器以及工業應用中的緩沖存儲器。
2：MoBLTM低功耗異步型SRAM 有些應用（例如移動電話）對功耗的關注程度要超過對性能的關注程度。因此，制造商（比如賽普拉斯公司）推出了功耗極低的SRAM系列。賽普拉斯的 MoBL（意指“更長的電池使用壽命”）低功耗異步型SRAM產品庫匯集了多款典型存取時間約為40ns（或更長）并專為實現低功耗而優化的器件。典型待機功耗可低至10μW（或更低），而運行功耗則可低至30mW（或更低）。
這些器件的存儲密度各異，從64Kb到16Mb一應俱全。 偽SRAM（亦即PSRAM） 如果需要16Mb以上的存儲密度，則PSRAM（或稱偽PSRAM）是一種可行的解決方案。
所謂偽SRAM是指一種具有一個DRAM存儲器內核和一個“SRAM型”接口的存儲器件。由于PSRAM使用了一個DRAM內核，因而也需要進行周期性的刷新，以便保存數據。但不同的是，標準DRAM的刷新控制是在器件外部進行的，而PSRAM則具有一個“隱式”刷新電路，這使得它們能夠被容易地用作其他異步型SRAM的存儲密度升級型器件。
結論：在選擇SRAM時，您會面對眾多的選擇方案。在某些場合，選擇是有限的。許多已經確立了自己穩固地位的處理器都包含了支持特殊SRAM架構的存儲控制器。新型處理器的設計則更靈活。
為了決定最佳的可選方案，至關重要的是確定存儲器子系統（即兆比特每秒、初始延遲、運行功耗、待機功耗、成本等等）的優先級以及系統的工作特性（讀/寫操作模式、工作頻率等等）。 網絡應用往往具有接近50/50的讀/寫模式，它適合于采用QDR系列的解決方案。其他應用（甚至是同一個系統內的功能電路）則往往具有不平衡的讀/寫模式，這就適合于采用公共I/O架構，包括標準同步型、NoBL型和DDR型。
本文關鍵詞：
SRAM 標準同步型
PSRAM
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